RFID高频接口

不同国家和地区的频率分配和最大发射功率不同。在某些地区，某些频段的RFID产品可能会被禁止使用。
其中，13.56MHz RFID国际标准是ISO14443和ISO15693。 ISO14443分为A型和B型.A型由飞利浦的Mifare 1代表，B型代表*目前在中国发行。
ISO14443是一种近耦合通信协议，通信距离小于10cm。 ISO15693是一种松散耦合的通信协议，通信距离可达1.5米。
在ISO15693协议中，不仅10％用于从读取器到松散耦合的IC卡的数据传输。 ASK调制，也使用100％ASK。
另外，存在两种不同的编码方法：一种是“1/256”编码方法。另一个是“1合1”。
该部分电路由Cadence幽灵模拟环境模拟，并通过SMIC CMOS 0.18um一次性四金属工艺验证。由于读卡器发出的磁场强度与读卡器和读卡器之间的距离有关，读卡器附近的磁场强度很大，当读卡器远离时磁场强度很小。
当RFID标签芯片在卡外时当机器之间的距离非常接近时，由于强磁场强度，RFID标签芯片天线两端的电压值非常高。如果不施加高压保护，RFID标签芯片的内部电路将被损坏，因此高压保护电路是必不可少的。
。读卡器和RFID标签之间的通信是半双工模式。
由读卡器发送的命令通过ASK调制叠加在载体上并发送到RFID标签芯片。 RFID标签芯片通过其内部解调电路对命令进行解码。
该呼叫被发送到数字逻辑控制电路进行解码，然后处理相应的指令。通过内部调制电路将读取器发送的数据叠加在读卡器上，RFID标签芯片的数据返回读卡器，读卡器通过内部波的解调电路解调数据。
这样，阅读器和RFID标签彼此通信。两个反相器电路形成锁存电路。
具有相反信号相位的13.56MHz正弦信号通过天线端子线圈1和线圈2施加到NMOS晶体管M7和M8。当线圈1为高电平时，线圈2为低电平。
电平信号，当NMOS晶体管M7导通时，M8截止。当线圈1为低电平时，线圈2变为高电平，即NMOS晶体管M7截止，M8导通。
通过该交替控制，生成时钟生成电路13.56MHz的方波时钟信号。在RFID标签芯片中，当输入能量较弱时，需要较大的电容器来存储足够的电荷以使标签用作电源。
如果输入电压过高，电源电压上升到一定程度，电压调节器电路中的逃逸电路就会工作，电容器上的多余电荷被释放，达到电压调节的目的。稳压器电路使用五个PNP晶体管，该稳压器电路以最少的器件实现电压调节效果。
由于PNP的Vbe电压约为0.7v，因此五个三极管的电压调节约为3.5v。当电压超过3.5V时，电流将通过从PNP的发射极到集电极的路径以释放电荷。
非常适合压力限制的效果。