交错记忆

内存交错允许您并行读取大内存芯片,从而减少内存访问时间。

Memory Interleave功能允许单个CPU内存板上最多32个内存芯片并行访问。

1.MVP3或MVP3G,标记为“VT82C598”2。

MVP4,标记为“VT82C501”3.Apollo Pro,Apollo Pro Plus,Apollo Pro133,Apollo Pro133A;标记为“VT82C691”或“VT82C693”或“VT82C693A”或“VT82C694X”4 KX133,标记为“VT8371”5,KT133,标记为“VT8363”存储器交错模式主要包括双向交错和4-Bank交错。

为了确保系统稳定性,许多基于VIA芯片组的主板默认关闭了内存交错模式,或默认以最多2种方式运行。

优化内存性能时,可以通过简单的设置在BIOS中打开和激活它。

联系方式

自恢复保险丝是由经过特殊处理的聚合树脂(Polymer)及分布在里面的导电粒子(Carbon Black)组成。 在正常操作下聚合树脂紧密地将导电粒子束缚在结晶状的结构外,构成链状导电电通路,此时的自恢复保险丝为低阻状态(a),线路上流经自恢复保险丝的电流所产生的热能小,不会改变晶体结构。 当线路发生短路或过载时,流经自恢复保险丝的大电流产生的热量使聚合树脂融化,体积迅速增长,形成高阻状态(b),工作电流迅速减小,从而对电路进行限制和保护。 当故障排除后,自恢复保险丝重新冷却结晶,体积收缩,导电粒子重新形成导电通路,自恢复保险丝恢复为低阻状态,从而完成对电路的保护,无须人工更换。

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