大功率晶体管

功率设备可以分为不可控设备，半可控设备和完全可控设备。 1.不可控制的设备控制信号不能控制引导和关闭，控制信号完全取决于电路中的电流和电压条件。
它是一种自然传导和自然关闭。包括功率二极管。
2.半可控装置指控制信号可用于控制其导通，但不能控制其关断。它的关断只能通过它在主电路中承受的电压和电流条件来确定，这是一种自然关闭。
它包括晶闸管（SCR）和由其衍生的双向晶闸管（TRIAC）。 3.完全可控的器件是可以使用控制信号控制其导通和关断的器件，包括功率晶体管（GTR），功率FET（功率MOSFET），关断晶闸管（GTO）和绝缘栅双极晶体管。
（IGBT），MOS控制晶闸管（MCT），静电感应晶体管（SIT），静电感应晶闸管（场控晶闸管，SITH）和集成栅极换向晶闸管（IGCT）。完全可控的装置可分为两种类型：电流控制型和电压控制型。
在电流控制类型中有GTR（功率晶体管），SCR（可控晶闸管），TRIAC（可控双向晶闸管），GTO（可转动关断晶体管）等。电压控制类型包括：功率MOSFET，IGBT，MCT和SIT <br> <br> 1，选择考虑适用性（是否满足技术要求），经济性（性价比）; 2.工作频率比较SIT＆amp; MOSFET（3-10MHz）＆amp; gt; IGBT（50KHz）＆amp; gt; SITH＆amp; gt; GTR（30KHz）＆amp; gt; MCT＆amp; gt; GTO 3，功率容量比较GTO（6000 V / 6000 A）＆amp; gt; SITH＆amp; gt; MCT＆amp; gt; IGBT（2500V / 1000A）＆amp; gt; GTR（1800V / 400A）＆amp; gt; SIT＆amp; gt;功率MOSFET（1000V / 100A）4。
导通电阻比较功率MOSFET＆gt; SIT＆gt; SITH＆amp; GTO＆amp; gt; IGBT＆amp; gt; GTR＆amp; gt; MCT 5.控制难度等级比较电压控制类型控制比电流更容易控制类型控制，但SIT是常开设备，控制比功率MOSFET和IGBT更难。 <br> <br>用于控制电源输出，高频大功率晶体管应用电路的电子设备，如彩电，显示器，示波器，大型游戏机水平扫描电路，视频放大电路，发射功率放大器，如对讲机，手机的射频输出电路，高频振荡电路和高速电子开关电路。
由于大功率管有大量的热量，必须安装在金属散热器上，金属散热器的面积应足够大，否则技术文件中规定的技术性能无法达到。